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SUD23N06-31
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
2.1
1. 8
1.5
1.2
I D = 15 A
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
100
10
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.9
0.6
0.01
0.001
T J = - 50 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0.0 8
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.5
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
0.2
0.06
0.04
T J = 125 °C
- 0.1
- 0.4
I D = 1 mA
0.02
0.00
T J = 25 °C
- 0.7
- 1.0
I D = 250 μA
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
100
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Limited b y R DS(on) *
10 μ s
400
10
100 μ s
300
200
1
0.1
1 ms
10 ms
100 ms, DC
100
0
0.01
T C = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
0.1
1 10 100
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Single Pulse Power, Junction-to-Case
Document Number: 68857
S11-0181-Rev. B, 07-Feb-11
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